消息源指出SK海力士不仅组建了专门针对这两家客户的HBM4研发团队，还将分别于今年10月开始对英伟达的HBM4内存进行流片，并于年底投入到向AMD的HBM4内存的生产中。
尽管业界龙头三星电子有意在即将到来的HBM4内存中采用1cnm技术以SK海力士则选择了在HBM4上继续使用在HBM3E中已经证实稳定的1bnm技术。选择沿用技术的决定可以被视作SK海力士在技术升级过程中对产品兼容性和稳定性的重视，尽管这可能在性能提升方面做一定程度的妥协。
在HBM4的基础裸片（BaseDie）方面，SK海力士计划使用台积电提供的两种不同制程的产品，包括N12FFC+用于平价产品线和N5用于高性能产品线。这种选择说明SK海力士在根据自身产品需求定制不同成本和性能解决方案上具有灵活性，同时也反映出其与台积电在技术和产能方面的深层次合作。
值得一提的是，英伟达预计将在2026年发布一款高性能AI GPU，代号为Blackwell的后继产品，将使用12层堆叠的HBM4内存。这进一步证实了SK海力士为英伟达提供的HBM4内存将用于驱动未来的高性能计算设备，标志着存储技术在支持下一代算力密集型应用中的重要作用。
最后，报道还提到了三星电子将在同一时期开启HBM4内存的流片。这意味着SK海力士将面临来自主要竞争对手的直接竞争，竞争对手之间的技术升级和产品迭代将对整个市场产生深远影响。
SK海力士即将推出的HBM4内存产品对提升公司在以及满足未来高性能计算和人工智能发展的需求具有重大意义。通过在技术创新上持续投入，SK海力士展示了其在HBM领域的持续发展能力和市场适应性。同时，这也预示着未来在该领域内将有更多的技术突破和市场竞争。